EXICON Lateral-MOSFETs sind speziell für High-Fidelity Integrierte- und Leistungsverstärker konzipiert. Das 1993 eingeführte und 2015 verbesserte Produktspektrum ist optimiert, um der Entwicklung von High-End-Linearverstärkern große Vorteile zu bieten.
Schlichtheit
Schlichtheit im Design minimiert den Bedarf an zusätzlichen Komponenten im Audiopfad. Aufgrund des negativen Temperaturkoeffizienten sind Exicon-MOSFETs von Natur aus gegen thermisches Durchgehen immun. Ebenso sind sie gut aufeinander abgestimmt, sodass keine Sourcewiderstände erforderlich sind. Durch die Spannungssteuerung sind auch keine Treibertransistoren erforderlich, wodurch mindestens eine Verstärkungsstufe unnötig ist.
Extreme Linearität
Extreme Linearität führt natürlich zu einer geringen Verzerrung, noch bevor negative Rückkopplungen auftreten, wodurch die Verzerrung weiter reduziert wird. Laterale MOSFETs können leicht mit einer Vorspannung versehen werden. Der natürliche Punkt der Vorspannung ist dort, wo der Temperaturkoeffizient Null ist. Bei EXICON MOSFETs liegt dies weit im Class-A-Bereich, um Crossover-Verzerrungen zu minimieren.
Sehr hohe Geschwindigkeit
Wenn es anspruchsvoll wird, ist eine sehr schnelle Reaktion wünschenswert, um Details des Signals zu erhalten, beispielsweise bei einer Impulsantwort oder bei einem Schlagzeug.
Robust und strapazierfähig
EXICON MOSFETs sind robust und strapazierfähig und im Gegensatz zu Bipolartransistoren frei von Sekundärdurchbrüchen. Dies bedeutet, dass die Nennleistung nicht mit der angelegten Spannung abweicht. Geräte können für Anwendungen mit sehr hoher Leistung leicht parallelisiert werden.
